IC晶圓機械拋光理想材料

CMP研磨環(huán)

??????? 化學(xué)機械拋光（CMP）工藝是硅晶圓生產(chǎn)中非常重要的一個步驟。晶圓尺寸越做越大，芯片越做越小，隨著光刻機和化學(xué)蒸鍍技術(shù)上的提升，芯片上的線寬越來越小。對晶片表面拋光的要求也越來越高，CMP的拋光工藝也越來越精密，我們可提供機械拋光中極具成熟的PPS CMP研磨環(huán)。

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?????? 在化學(xué)機械拋光過程中，由于研磨環(huán)必須在拋光過程中夾住晶圓，CMP環(huán)緊密接觸晶圓，需要極高的粗糙度，拋光中材料會與不同的化學(xué)液接觸。化學(xué)液會對拋光組件產(chǎn)生腐蝕。此外，材料還需要承受一定的機械負(fù)載，因此材料應(yīng)具有良好的彈性、韌性或強度。
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?????? 整個CMP過程中，高純度至關(guān)重要。因此，研磨環(huán)還必須具有很高的純度。這意味著材料不應(yīng)被鋁或銅等金屬污染，以避免劃傷晶圓表面。同時，研磨環(huán)的材料應(yīng)具有低滲氣性能。

? ?????所以要制造CMP研磨環(huán)，需要材料具有極高的加工精度和尺寸穩(wěn)定性，以減少晶圓中微刮傷的發(fā)生幾率，確保提高可用IC的產(chǎn)量。尺寸穩(wěn)定性可能會受高機械負(fù)載、高溫或潮濕環(huán)境的影響。

理想的材料

??????? 通常，研磨環(huán)采用PPS材料。

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??????? PPS材料的特點是具有較高的耐磨性，良好的耐化學(xué)性和耐溶劑性，以及良好的摩擦性能，高純的潔凈型材料，不會污染晶圓，是一款即可滿足CMP高精度研磨需求的標(biāo)準(zhǔn)機械拋光材料，比PEEK成本更低，目前,為應(yīng)對CMP大量的需求，

已經(jīng)可提供環(huán)形料，純度和質(zhì)密性更高，更加凸顯性價比。

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??????? PEEK材料的特點是具有更高的低磨擦系數(shù)，相比PPS的摩擦性能更優(yōu)異，更全面且穩(wěn)定的耐化學(xué)性和耐溶劑性，更寬的耐高溫范圍，使材料具有長期磨擦峰值下具有更熱穩(wěn)定性，相對工況下，使用時間更長。但成本比PPS上升至少40%

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??????? CMP研磨環(huán)近幾年有更多新型材料推出，提升耐磨損和熱穩(wěn)定性，材料科技的進步旨在提升IC的良率和產(chǎn)量。